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BAS16VA-7

BAS16VA-7

Nur als Referenz

Teilenummer BAS16VA-7
PNEDA Teilenummer BAS16VA-7
Beschreibung FAST SWITCHING DIODE SOT563 T&R
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 5.886
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAS16VA-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAS16VA-7
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays

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BAS16VA-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Diodenkonfiguration3 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 80V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-244AB

Lieferantengerätepaket

TO-244AB

MBR20H200CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

970mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

5000V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

5V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2000ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 5000V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

-

MBRT50040R

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

500A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 250A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

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