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BAS116T,115

BAS116T,115

Nur als Referenz

Teilenummer BAS116T,115
PNEDA Teilenummer BAS116T-115
Beschreibung DIODE GEN PURP 75V 215MA SC75
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.878
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAS116T Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAS116T,115
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BAS116T, BAS116T Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 242,32 KB)
PDFBAS116T Datenblatt Cover
BAS116T Datenblatt Seite 2 BAS116T Datenblatt Seite 3 BAS116T Datenblatt Seite 4 BAS116T Datenblatt Seite 5 BAS116T Datenblatt Seite 6 BAS116T Datenblatt Seite 7 BAS116T Datenblatt Seite 8 BAS116T Datenblatt Seite 9 BAS116T Datenblatt Seite 10 BAS116T Datenblatt Seite 11

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BAS116T Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Current - Average Rectified (Io)215mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)3µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr5nA @ 75V
Kapazität @ Vr, F.2pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketSC-75
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

960mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

117pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SR306-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

720mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

MA3S7810GL

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

30mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 30mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300nA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

1N914BWS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-90, SOD-323F

Lieferantengerätepaket

SOD-323F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

VS-20ETF08STRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.31V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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