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BAS116LYL

BAS116LYL

Nur als Referenz

Teilenummer BAS116LYL
PNEDA Teilenummer BAS116LYL
Beschreibung DIODE GEN PURP 75V 325MA 2DFN
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 2.484
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAS116LYL Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAS116LYL
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BAS116LYL, BAS116LYL Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 673,06 KB)
PDFBAS116LYL Datenblatt Cover
BAS116LYL Datenblatt Seite 2 BAS116LYL Datenblatt Seite 3 BAS116LYL Datenblatt Seite 4 BAS116LYL Datenblatt Seite 5 BAS116LYL Datenblatt Seite 6 BAS116LYL Datenblatt Seite 7 BAS116LYL Datenblatt Seite 8 BAS116LYL Datenblatt Seite 9 BAS116LYL Datenblatt Seite 10 BAS116LYL Datenblatt Seite 11

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BAS116LYL Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Current - Average Rectified (Io)325mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)3µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr5nA @ 75V
Kapazität @ Vr, F.2pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-882
LieferantengerätepaketDFN1006-2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

PMEG6010CEJ/ZLX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

1A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

660mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-90, SOD-323F

Lieferantengerätepaket

SC-90

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

D251N12BXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

255A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30mA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 180°C

SRA2090 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

90V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 90V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MBR7H45HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

630mV @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

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