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BAS116GWJ

BAS116GWJ

Nur als Referenz

Teilenummer BAS116GWJ
PNEDA Teilenummer BAS116GWJ
Beschreibung DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 3.492
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAS116GWJ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAS116GWJ
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BAS116GWJ, BAS116GWJ Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 201,64 KB)
PDFBAS116GWJ Datenblatt Cover
BAS116GWJ Datenblatt Seite 2 BAS116GWJ Datenblatt Seite 3 BAS116GWJ Datenblatt Seite 4 BAS116GWJ Datenblatt Seite 5 BAS116GWJ Datenblatt Seite 6 BAS116GWJ Datenblatt Seite 7 BAS116GWJ Datenblatt Seite 8 BAS116GWJ Datenblatt Seite 9 BAS116GWJ Datenblatt Seite 10 BAS116GWJ Datenblatt Seite 11

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BAS116GWJ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Current - Average Rectified (Io)215mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)3µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr5nA @ 75V
Kapazität @ Vr, F.2pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-123
LieferantengerätepaketSOD-123
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

JAN1N6623US

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/585

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

880V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 880V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, A

Lieferantengerätepaket

D-5A

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

EGP20B-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

SK13B R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

STPS340S

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

630mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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