BAQ335-TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | BAQ335-TR |
| PNEDA Teilenummer | BAQ335-TR |
| Beschreibung | DIODE GP 125V 200MA MICROMELF |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 102.798 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BAQ335-TR Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BAQ335-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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BAQ335-TR Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 125V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1nA @ 60V |
| Kapazität @ Vr, F. | 3pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 2-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | MicroMELF |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/609 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 300mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 300mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall D, Axial Lieferantengerätepaket D-5D Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 6A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 200ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 15µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 85A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 267A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB (DO-5) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 180°C |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 75V Current - Average Rectified (Io) 200mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 75V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Lieferantengerätepaket LLDS; MiniMelf Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 200°C (Max) |
