BAP70-04W,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | BAP70-04W,115 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | BAP70-04W-115 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | RF DIODE PIN 50V 260MW SOT323-3 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | NXP | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 264 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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BAP70-04W Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BAP70-04W,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Dioden - RF |
| Datenblatt |
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BAP70-04W Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Diodentyp | PIN - 1 Pair Series Connection |
| Spannung - Peak Reverse (Max) | 50V |
| Strom - max | 100mA |
| Kapazität @ Vr, F. | 0.3pF @ 20V, 1MHz |
| Widerstand @ If, F. | 1.9Ohm @ 100mA, 100MHz |
| Verlustleistung (max.) | 260mW |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-323-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp PIN - 1 Pair Common Anode Spannung - Peak Reverse (Max) 50V Strom - max 100mA Kapazität @ Vr, F. 0.3pF @ 5V, 1MHz Widerstand @ If, F. 1Ohm @ 10mA, 100MHz Verlustleistung (max.) 250mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
