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BA885E6327HTSA1

BA885E6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BA885E6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BA885E6327HTSA1
Beschreibung RF DIODE PIN 50V SOT23-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.092
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 21 - Jan 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BA885E6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBA885E6327HTSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterDioden - RF
Datenblatt
BA885E6327HTSA1, BA885E6327HTSA1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 897,86 KB)
PDFBA595E6327HTSA1 Datenblatt Cover
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BA885E6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
DiodentypPIN - Single
Spannung - Peak Reverse (Max)50V
Strom - max50mA
Kapazität @ Vr, F.0.6pF @ 10V, 1MHz
Widerstand @ If, F.7Ohm @ 10mA, 100MHz
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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Strom - max

1A

Kapazität @ Vr, F.

1.2pF @ 0V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

15Ohm @ 5mA, 1MHz

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

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Spannung - Peak Reverse (Max)

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Strom - max

1A

Kapazität @ Vr, F.

0.375pF @ 5V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

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Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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SC-70, SOT-323

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Hersteller

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Diodentyp

Schottky - Cross Over

Spannung - Peak Reverse (Max)

2V

Strom - max

50mA

Kapazität @ Vr, F.

0.5pF @ 0V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

8Ohm @ 10mA, 1MHz

Verlustleistung (max.)

75mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Paket / Fall

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Diodentyp

PIN - 1 Pair Common Anode

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Strom - max

1A

Kapazität @ Vr, F.

0.3pF @ 50V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

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