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B80C800G-E4/51

B80C800G-E4/51

Nur als Referenz

Teilenummer B80C800G-E4/51
PNEDA Teilenummer B80C800G-E4-51
Beschreibung BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOG
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 22.242
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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B80C800G-E4/51 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerB80C800G-E4/51
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
B80C800G-E4/51, B80C800G-E4/51 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 82,38 KB)
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B80C800G-E4/51 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)125V
Current - Average Rectified (Io)900mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 900mA
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 125V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-Circular, WOG
LieferantengerätepaketWOG

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Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

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Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Single Phase

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Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

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Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

50A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 25A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 17.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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