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B614-2T

B614-2T

Nur als Referenz

Teilenummer B614-2T
PNEDA Teilenummer B614-2T
Beschreibung MOD DIODE SCR 42.5A 480V .250""QC
Hersteller Sensata-Crydom
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Auf Lager 3.528
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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B614-2T Ressourcen

Marke Sensata-Crydom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerB614-2T
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
B614-2T, B614-2T Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 706,44 KB)
PDFB634SE-2T Datenblatt Cover
B634SE-2T Datenblatt Seite 2 B634SE-2T Datenblatt Seite 3 B634SE-2T Datenblatt Seite 4

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B614-2T Technische Daten

HerstellerSensata-Crydom
Serie-
StrukturBridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)
Anzahl der SCRs, Dioden2 SCRs, 2 Diodes
Spannung - Aus Zustand1.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)-
Current - On State (It (RMS)) (max.)-
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)80mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)600A @ 60Hz
Current - Hold (Ih) (Max)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule with Isolation Barriers

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

1650A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

2590A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

4.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

300mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

24000A, 26000A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200AF

TA20201603DH

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

1600A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

2500A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

4.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

26900A, 29500A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200AE Variation

VS-VSKN41/10

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

45A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

100A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

850A, 890A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

3330A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

3600A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

93000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 120°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200AF

T2251N80TOHXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

3140A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

3550A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

67000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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