AUXKNG4PH50S-215
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| Teilenummer | AUXKNG4PH50S-215 |
| PNEDA Teilenummer | AUXKNG4PH50S-215 |
| Beschreibung | IGBT 1200V TO247-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.056 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AUXKNG4PH50S-215 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AUXKNG4PH50S-215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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AUXKNG4PH50S-215 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | - |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 51A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 28A Leistung - max 200W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A Leistung - max 300W Schaltenergie 716µJ (on), 208µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14ns/102ns Testbedingung 400V, 30A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 8A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 2A Leistung - max 25W Schaltenergie 260µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 7.8nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/300ns Testbedingung 800V, 2A, 150Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Leistung - max 30W Schaltenergie 180µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/91ns Testbedingung 400V, 10A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 262ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 8V @ 4.5V, 130A Leistung - max 45W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
