AUIRLR3410TR
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| Teilenummer | AUIRLR3410TR |
| PNEDA Teilenummer | AUIRLR3410TR |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.824 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AUIRLR3410TR Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AUIRLR3410TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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AUIRLR3410TR Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 17A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 79W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 56A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 4.5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3617pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 143W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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