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AUIRFS6535TRL

AUIRFS6535TRL

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRFS6535TRL
PNEDA Teilenummer AUIRFS6535TRL
Beschreibung MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.898
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AUIRFS6535TRL Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRFS6535TRL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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AUIRFS6535TRL Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs185mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs57nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2340pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)210W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AOB260L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta), 140A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14200pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta), 330W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

GP1M005A050PH

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.65Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

627pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

92.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

2SK3482-AZ

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251 (MP-3)

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

RJK60S7DPK-M0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

+30V, -20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 25V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

227.2W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PSG

Paket / Fall

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IPL60R299CPAUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

299mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 440µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

96W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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