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AUIRFS6535

AUIRFS6535

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRFS6535
PNEDA Teilenummer AUIRFS6535
Beschreibung MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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AUIRFS6535 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRFS6535
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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AUIRFS6535 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs185mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs57nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2340pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)210W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 39.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

64W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRL3103D1STRLP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

64A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRLR024NTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.67Ohm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

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π-MOSVII

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Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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