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AUIR3200STR

AUIR3200STR

Nur als Referenz

Teilenummer AUIR3200STR
PNEDA Teilenummer AUIR3200STR
Beschreibung IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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AUIR3200STR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIR3200STR
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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AUIR3200STR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Angetriebene KonfigurationHigh-Side
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung6V ~ 36V
Logikspannung - VIL, VIH0.9V, 2.7V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)-
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)1µs, 1µs
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

12ns, 9ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

FAN73833MX

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

11V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1.2V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

350mA, 650mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

50ns, 30ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TC4425VMF

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

23ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN-S (6x5)

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Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.6V, 1.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

290mA, 600mA

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

100V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

70ns, 35ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-WFDFN Exposed Pad

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