Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

ATP201-TL-H

ATP201-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer ATP201-TL-H
PNEDA Teilenummer ATP201-TL-H
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.280
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 17 - Apr 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ATP201-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerATP201-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
ATP201-TL-H, ATP201-TL-H Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 338,29 KB)
PDFATP201-TL-H Datenblatt Cover
ATP201-TL-H Datenblatt Seite 2 ATP201-TL-H Datenblatt Seite 3 ATP201-TL-H Datenblatt Seite 4 ATP201-TL-H Datenblatt Seite 5 ATP201-TL-H Datenblatt Seite 6 ATP201-TL-H Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • ATP201-TL-H Datasheet
  • where to find ATP201-TL-H
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor ATP201-TL-H
  • ATP201-TL-H PDF Datasheet
  • ATP201-TL-H Stock

  • ATP201-TL-H Pinout
  • Datasheet ATP201-TL-H
  • ATP201-TL-H Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • ATP201-TL-H Price
  • ATP201-TL-H Distributor

ATP201-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.35A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds985pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)30W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketATPAK
Paket / FallATPAK (2 leads+tab)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI8800EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-Microfoot

Paket / Fall

4-XFBGA, CSPBGA

SIR812DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.45mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

335nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10240pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

IPD60R385CPBTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

385mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 340µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RJK0655DPB-00#J5

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2550pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

390W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

PIC18LF1320-I/P

PIC18LF1320-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 18DIP

LTC1625CS#PBF

LTC1625CS#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK/BOOST 16SOIC

STBB1-APUR

STBB1-APUR

STMicroelectronics

IC REG BCK BST ADJ 1.6A 10DFN

PESD0402-140

PESD0402-140

Littelfuse

TVS DIODE 14V 40V 0402

BC184B

BC184B

Central Semiconductor Corp

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

MAX1853EXT

MAX1853EXT

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV SC70-6

AD5546BRUZ

AD5546BRUZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT A-OUT 28TSSOP

AD822AN

AD822AN

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP

SI2300DS-T1-GE3

SI2300DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23

ZUS252412

ZUS252412

Cosel

DC DC CONVERTER 12V

MAX8556ETE+T

MAX8556ETE+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 4A 16TQFN

MUR160

MUR160

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL