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ATF-52189-TR1

ATF-52189-TR1

Nur als Referenz

Teilenummer ATF-52189-TR1
PNEDA Teilenummer ATF-52189-TR1
Beschreibung FET RF 7V 2GHZ SOT-89
Hersteller Broadcom
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ATF-52189-TR1 Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerATF-52189-TR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
ATF-52189-TR1, ATF-52189-TR1 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 377,31 KB)
PDFATF-52189-TR1 Datenblatt Cover
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ATF-52189-TR1 Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypE-pHEMT
Frequenz2GHz
Gewinn16dB
Spannungstest4.5V
Nennstrom (Ampere)500mA
Rauschzahl1.5dB
Stromtest200mA
Leistung - Leistung27dBm
Spannung - Nennspannung7V
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

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Gewinn

14dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

150V

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SOT-1228A

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

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N-Channel

Frequenz

80MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

4mA

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

170V

Paket / Fall

T2

Lieferantengerätepaket

T2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

15.2dB

Spannungstest

7.5V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

7.3W

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

PLD-1.5W

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5W

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

19.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

950mA

Leistung - Leistung

27W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

NI-780S

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