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AT49BV321T-11CI

AT49BV321T-11CI

Nur als Referenz

Teilenummer AT49BV321T-11CI
PNEDA Teilenummer AT49BV321T-11CI
Beschreibung IC FLASH 32M PARALLEL 48CBGA
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 2.754
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AT49BV321T-11CI Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT49BV321T-11CI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT49BV321T-11CI, AT49BV321T-11CI Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 898,25 KB)
PDFAT49LV321T-90TI Datenblatt Cover
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AT49BV321T-11CI Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße32Mb (4M x 8, 2M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite150µs
Zugriffszeit110ns
Spannung - Versorgung2.65V ~ 3.3V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA, CSPBGA
Lieferantengerätepaket48-CBGA (6x8)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-VFBGA

Lieferantengerätepaket

60-VFBGA (10x11.5)

SST38VF6402B-70-5I-EKE-T

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST38

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

34AA04T-E/MNY

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (256 x 8 x 2)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

350ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-TDFN-EP (2x3)

BR24S16FVJ-WE2

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP-BJ

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (16M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

1.28V ~ 1.42V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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