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AT45DQ321-MHF2B-T

AT45DQ321-MHF2B-T

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DQ321-MHF2B-T
PNEDA Teilenummer AT45DQ321-MHF2B-T
Beschreibung IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8UDFN
Hersteller Adesto Technologies
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AT45DQ321-MHF2B-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DQ321-MHF2B-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DQ321-MHF2B-T, AT45DQ321-MHF2B-T Datenblatt (Total Pages: 82, Größe: 2.728,2 KB)
PDFAT45DQ321-SHD-T Datenblatt Cover
AT45DQ321-SHD-T Datenblatt Seite 2 AT45DQ321-SHD-T Datenblatt Seite 3 AT45DQ321-SHD-T Datenblatt Seite 4 AT45DQ321-SHD-T Datenblatt Seite 5 AT45DQ321-SHD-T Datenblatt Seite 6 AT45DQ321-SHD-T Datenblatt Seite 7 AT45DQ321-SHD-T Datenblatt Seite 8 AT45DQ321-SHD-T Datenblatt Seite 9 AT45DQ321-SHD-T Datenblatt Seite 10 AT45DQ321-SHD-T Datenblatt Seite 11

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AT45DQ321-MHF2B-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße32Mb (512 Bytes x 8192 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8µs, 4ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-UDFN (5x6)

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-CABGA (13x15)

CY7C1441AV33-133BZXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

70T651S10DR

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 2.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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