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AT45DB161E-MHD-Y

AT45DB161E-MHD-Y

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB161E-MHD-Y
PNEDA Teilenummer AT45DB161E-MHD-Y_5D
Beschreibung IC FLASH 16M SPI 85MHZ 8UDFN
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 7.632
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AT45DB161E-MHD-Y Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB161E-MHD-Y
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB161E-MHD-Y, AT45DB161E-MHD-Y Datenblatt (Total Pages: 70, Größe: 2.249,39 KB)
PDFAT45DB161E-MHD-Y Datenblatt Cover
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AT45DB161E-MHD-Y Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz85MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8µs, 6ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.5V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-UDFN (5x6)

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

52MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

85ns

Zugriffszeit

85ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

450MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speichertyp

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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