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AT45DB161B-CI

AT45DB161B-CI

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB161B-CI
PNEDA Teilenummer AT45DB161B-CI
Beschreibung IC FLASH 16M SPI 20MHZ 24CBGA
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 6.048
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AT45DB161B-CI Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB161B-CI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB161B-CI, AT45DB161B-CI Datenblatt (Total Pages: 33, Größe: 220,72 KB)
PDFAT45DB161B-CNC-2.5 Datenblatt Cover
AT45DB161B-CNC-2.5 Datenblatt Seite 2 AT45DB161B-CNC-2.5 Datenblatt Seite 3 AT45DB161B-CNC-2.5 Datenblatt Seite 4 AT45DB161B-CNC-2.5 Datenblatt Seite 5 AT45DB161B-CNC-2.5 Datenblatt Seite 6 AT45DB161B-CNC-2.5 Datenblatt Seite 7 AT45DB161B-CNC-2.5 Datenblatt Seite 8 AT45DB161B-CNC-2.5 Datenblatt Seite 9 AT45DB161B-CNC-2.5 Datenblatt Seite 10 AT45DB161B-CNC-2.5 Datenblatt Seite 11

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AT45DB161B-CI Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz20MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite14ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-LBGA, CSPBGA
Lieferantengerätepaket24-CBGA (6x8)

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Hersteller

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Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

8Mb (256K x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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7008S20PF

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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