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AT45DB081-RI

AT45DB081-RI

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB081-RI
PNEDA Teilenummer AT45DB081-RI
Beschreibung IC FLASH 8M SPI 10MHZ 28SOIC
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 8.388
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 24 - Mär 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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AT45DB081-RI Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB081-RI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB081-RI, AT45DB081-RI Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 1.041,4 KB)
PDFAT45DB081-TI Datenblatt Cover
AT45DB081-TI Datenblatt Seite 2 AT45DB081-TI Datenblatt Seite 3 AT45DB081-TI Datenblatt Seite 4 AT45DB081-TI Datenblatt Seite 5 AT45DB081-TI Datenblatt Seite 6 AT45DB081-TI Datenblatt Seite 7 AT45DB081-TI Datenblatt Seite 8 AT45DB081-TI Datenblatt Seite 9 AT45DB081-TI Datenblatt Seite 10 AT45DB081-TI Datenblatt Seite 11

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AT45DB081-RI Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße8Mb (264 Bytes x 4096 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz10MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite14ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOIC

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IS42S32400D-6T-TR

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (64M x 64)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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