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AT29C256-20TI

AT29C256-20TI

Nur als Referenz

Teilenummer AT29C256-20TI
PNEDA Teilenummer AT29C256-20TI
Beschreibung IC FLASH 256K PARALLEL 28TSOP
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 5.868
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AT29C256-20TI Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT29C256-20TI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT29C256-20TI, AT29C256-20TI Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 354,69 KB)
PDFAT29C256-20TI Datenblatt Cover
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AT29C256-20TI Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ms
Zugriffszeit200ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Lieferantengerätepaket28-TSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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-

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Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

288Mb (16M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

120MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ms

Zugriffszeit

-

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II+

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (8M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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