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AS7C3256A-12JCNTR

AS7C3256A-12JCNTR

Nur als Referenz

Teilenummer AS7C3256A-12JCNTR
PNEDA Teilenummer AS7C3256A-12JCNTR
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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Auf Lager 8.892
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AS7C3256A-12JCNTR Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS7C3256A-12JCNTR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS7C3256A-12JCNTR, AS7C3256A-12JCNTR Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 248,03 KB)
PDFAS7C3256A-20TIN Datenblatt Cover
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AS7C3256A-12JCNTR Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOJ

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

256Kb (16K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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MT41J256M16HA-107:E TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (9x14)

MT29F64G08CBABAL84A3WC1

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IS39LV040-70VCE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-VSOP

MT53E768M32D4DT-046 WT:E

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

24Gb (768M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

2.133GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

0.6V, 1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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