AS6C8016-55ZIN
Nur als Referenz
| Teilenummer | AS6C8016-55ZIN |
| PNEDA Teilenummer | AS6C8016-55ZIN |
| Beschreibung | IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 13.104 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
AS6C8016-55ZIN Ressourcen
| Marke | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | AS6C8016-55ZIN |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- AS6C8016-55ZIN Datasheet
- where to find AS6C8016-55ZIN
- Alliance Memory, Inc.
- Alliance Memory, Inc. AS6C8016-55ZIN
- AS6C8016-55ZIN PDF Datasheet
- AS6C8016-55ZIN Stock
- AS6C8016-55ZIN Pinout
- Datasheet AS6C8016-55ZIN
- AS6C8016-55ZIN Supplier
- Alliance Memory, Inc. Distributor
- AS6C8016-55ZIN Price
- AS6C8016-55ZIN Distributor
AS6C8016-55ZIN Technische Daten
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 8Mb (512K x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
| Zugriffszeit | 55ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 44-TSOP II |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 16Kb (2K x 8, 1K x 16) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 2MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EPROM Technologie EPROM - OTP Speichergröße 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 150ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 32-PLCC (13.97x11.43) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie e•MMC™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 32Gb (4G x 8) Speicherschnittstelle MMC Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 153-WFBGA Lieferantengerätepaket 153-WFBGA (11.5x13) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 400ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-FBGA (8x10) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 256Gb (32G x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 83MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-TBGA Lieferantengerätepaket 100-TBGA (12x18) |
