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AS6C6264-55STCN

AS6C6264-55STCN

Nur als Referenz

Teilenummer AS6C6264-55STCN
PNEDA Teilenummer AS6C6264-55STCN
Beschreibung IC SRAM 64K PARALLEL 28STSOP
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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Auf Lager 4.302
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AS6C6264-55STCN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS6C6264-55STCN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS6C6264-55STCN, AS6C6264-55STCN Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.436,43 KB)
PDFAS6C6264-55STCN Datenblatt Cover
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AS6C6264-55STCN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße64Kb (8K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Lieferantengerätepaket28-sTSOP

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Technologie

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Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

400µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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