AS6C2016-55BIN
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| Teilenummer | AS6C2016-55BIN |
| PNEDA Teilenummer | AS6C2016-55BIN |
| Beschreibung | IC SRAM 2M PARALLEL 48TFBGA |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.130 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AS6C2016-55BIN Ressourcen
| Marke | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AS6C2016-55BIN |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
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AS6C2016-55BIN Technische Daten
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 2Mb (128K x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
| Zugriffszeit | 55ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 48-TFBGA (6x8) |
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