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AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C8M32SA-6BIN
PNEDA Teilenummer AS4C8M32SA-6BIN
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32SA-6BIN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C8M32SA-6BIN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C8M32SA-6BIN, AS4C8M32SA-6BIN Datenblatt (Total Pages: 55, Größe: 1.836,47 KB)
PDFAS4C8M32SA-7BCN Datenblatt Cover
AS4C8M32SA-7BCN Datenblatt Seite 2 AS4C8M32SA-7BCN Datenblatt Seite 3 AS4C8M32SA-7BCN Datenblatt Seite 4 AS4C8M32SA-7BCN Datenblatt Seite 5 AS4C8M32SA-7BCN Datenblatt Seite 6 AS4C8M32SA-7BCN Datenblatt Seite 7 AS4C8M32SA-7BCN Datenblatt Seite 8 AS4C8M32SA-7BCN Datenblatt Seite 9 AS4C8M32SA-7BCN Datenblatt Seite 10 AS4C8M32SA-7BCN Datenblatt Seite 11

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AS4C8M32SA-6BIN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße256Mb (8M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite2ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall90-TFBGA
Lieferantengerätepaket90-TFBGA (8x13)

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Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT49H16M36FM-25:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (16M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

144-TFBGA

Lieferantengerätepaket

144-µBGA (18.5x11)

CY7C1372D-167AXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.4ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

7015L17PF

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

72Kb (8K x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

17ns

Zugriffszeit

17ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

80-LQFP

Lieferantengerätepaket

80-TQFP (14x14)

NAND512R3A2SZA6F

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50ns

Zugriffszeit

50ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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