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AS4C8M16S-7BCN

AS4C8M16S-7BCN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C8M16S-7BCN
PNEDA Teilenummer AS4C8M16S-7BCN
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AS4C8M16S-7BCN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C8M16S-7BCN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C8M16S-7BCN, AS4C8M16S-7BCN Datenblatt (Total Pages: 55, Größe: 568,13 KB)
PDFAS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Cover
AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 2 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 3 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 4 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 5 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 6 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 7 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 8 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 9 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 10 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 11

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AS4C8M16S-7BCN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite2ns
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TFBGA
Lieferantengerätepaket54-TFBGA (8x8)

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

2Mb (64K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.6ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 2.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

71V65703S85BG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

119-BGA

Lieferantengerätepaket

119-PBGA (14x22)

S99-50346

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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