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AS4C8M16S-6BINTR

AS4C8M16S-6BINTR

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C8M16S-6BINTR
PNEDA Teilenummer AS4C8M16S-6BINTR
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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Auf Lager 3.492
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AS4C8M16S-6BINTR Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C8M16S-6BINTR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C8M16S-6BINTR, AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt (Total Pages: 55, Größe: 568,13 KB)
PDFAS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Cover
AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 2 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 3 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 4 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 5 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 6 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 7 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 8 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 9 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 10 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 11

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AS4C8M16S-6BINTR Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite2ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TFBGA
Lieferantengerätepaket54-TFBGA (8x8)

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Silicon Motion, Inc.

Hersteller

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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