AS4C8M16S-6BIN
Nur als Referenz
Teilenummer | AS4C8M16S-6BIN |
PNEDA Teilenummer | AS4C8M16S-6BIN |
Beschreibung | IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA |
Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.822 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
AS4C8M16S-6BIN Ressourcen
Marke | Alliance Memory, Inc. |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | AS4C8M16S-6BIN |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- AS4C8M16S-6BIN Datasheet
- where to find AS4C8M16S-6BIN
- Alliance Memory, Inc.
- Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6BIN
- AS4C8M16S-6BIN PDF Datasheet
- AS4C8M16S-6BIN Stock
- AS4C8M16S-6BIN Pinout
- Datasheet AS4C8M16S-6BIN
- AS4C8M16S-6BIN Supplier
- Alliance Memory, Inc. Distributor
- AS4C8M16S-6BIN Price
- AS4C8M16S-6BIN Distributor
AS4C8M16S-6BIN Technische Daten
Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
Serie | - |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM |
Speichergröße | 128Mb (8M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 2ns |
Zugriffszeit | 5ns |
Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 54-TFBGA |
Lieferantengerätepaket | 54-TFBGA (8x8) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
IDT, Integrated Device Technology Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 119-BGA Lieferantengerätepaket 119-PBGA (14x22) |
IDT, Integrated Device Technology Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 576Kb (32K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 128-LQFP Lieferantengerätepaket 128-TQFP (14x20) |
Microchip Technology Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 1.5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-WDFN (5x6) |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.1V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 200-WFBGA Lieferantengerätepaket 200-WFBGA (11x14.5) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 700ps Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 66-TSOP II |