AS4C512M8D3A-12BANTR
Nur als Referenz
| Teilenummer | AS4C512M8D3A-12BANTR |
| PNEDA Teilenummer | AS4C512M8D3A-12BANTR |
| Beschreibung | IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.934 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 4 - Mai 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AS4C512M8D3A-12BANTR Ressourcen
| Marke | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AS4C512M8D3A-12BANTR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
AS4C512M8D3A-12BANTR, AS4C512M8D3A-12BANTR Datenblatt
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AS4C512M8D3A-12BANTR Technische Daten
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 800MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 20ns |
| Spannung - Versorgung | 1.425V ~ 1.575V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 78-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 78-FBGA (9x10.5) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50µs Zugriffszeit 90ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 32-DIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 32-PDIP |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit 120ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 32-TSOP |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35ns Zugriffszeit 35ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOIC |
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