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AS4C4M16SA-7TCNTR

AS4C4M16SA-7TCNTR

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C4M16SA-7TCNTR
PNEDA Teilenummer AS4C4M16SA-7TCNTR
Beschreibung IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16SA-7TCNTR Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C4M16SA-7TCNTR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C4M16SA-7TCNTR, AS4C4M16SA-7TCNTR Datenblatt (Total Pages: 55, Größe: 1.584,21 KB)
PDFAS4C4M16SA-6BINTR Datenblatt Cover
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AS4C4M16SA-7TCNTR Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße64Mb (4M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite2ns
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

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-

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-

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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