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AS4C4M16SA-6TCN

AS4C4M16SA-6TCN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C4M16SA-6TCN
PNEDA Teilenummer AS4C4M16SA-6TCN
Beschreibung IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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Auf Lager 8.748
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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AS4C4M16SA-6TCN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C4M16SA-6TCN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C4M16SA-6TCN, AS4C4M16SA-6TCN Datenblatt (Total Pages: 55, Größe: 1.584,21 KB)
PDFAS4C4M16SA-6BINTR Datenblatt Cover
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AS4C4M16SA-6TCN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße64Mb (4M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite2ns
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

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Montagetyp

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Paket / Fall

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