Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

AS4C32M16MD1A-5BCNTR

AS4C32M16MD1A-5BCNTR

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C32M16MD1A-5BCNTR
PNEDA Teilenummer AS4C32M16MD1A-5BCNTR
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.904
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 26 - Mär 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AS4C32M16MD1A-5BCNTR Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C32M16MD1A-5BCNTR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C32M16MD1A-5BCNTR, AS4C32M16MD1A-5BCNTR Datenblatt (Total Pages: 53, Größe: 2.130,73 KB)
PDFAS4C32M16MD1A-5BCNTR Datenblatt Cover
AS4C32M16MD1A-5BCNTR Datenblatt Seite 2 AS4C32M16MD1A-5BCNTR Datenblatt Seite 3 AS4C32M16MD1A-5BCNTR Datenblatt Seite 4 AS4C32M16MD1A-5BCNTR Datenblatt Seite 5 AS4C32M16MD1A-5BCNTR Datenblatt Seite 6 AS4C32M16MD1A-5BCNTR Datenblatt Seite 7 AS4C32M16MD1A-5BCNTR Datenblatt Seite 8 AS4C32M16MD1A-5BCNTR Datenblatt Seite 9 AS4C32M16MD1A-5BCNTR Datenblatt Seite 10 AS4C32M16MD1A-5BCNTR Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • AS4C32M16MD1A-5BCNTR Datasheet
  • where to find AS4C32M16MD1A-5BCNTR
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1A-5BCNTR
  • AS4C32M16MD1A-5BCNTR PDF Datasheet
  • AS4C32M16MD1A-5BCNTR Stock

  • AS4C32M16MD1A-5BCNTR Pinout
  • Datasheet AS4C32M16MD1A-5BCNTR
  • AS4C32M16MD1A-5BCNTR Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS4C32M16MD1A-5BCNTR Price
  • AS4C32M16MD1A-5BCNTR Distributor

AS4C32M16MD1A-5BCNTR Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit700ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-VFBGA
Lieferantengerätepaket60-FBGA (8x9)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BR24G128FVJ-3AGTE2

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP-BJ

71256S70TDB

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

28-CDIP

MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (128M x 8, 64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

105ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

S29GL128N11TFA020

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, GL-N

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

70121L35J

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

18Kb (2K x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

52-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

52-PLCC (19.13x19.13)

Kürzlich verkauft

2N5485

2N5485

Central Semiconductor Corp

RF MOSFET N-CH JFET 15V TO-92

IHLP2525CZERR47M01

IHLP2525CZERR47M01

Vishay Dale

FIXED IND 470NH 17.5A 4.2 MOHM

LTC3780EG#PBF

LTC3780EG#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK-BOOST 24SSOP

MAX31865ATP+

MAX31865ATP+

Maxim Integrated

IC RTD TO DIGITAL CONVERT 20QFN

LTC2950ITS8-1#TRMPBF

LTC2950ITS8-1#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC PB ON/OFF CONTROLLER TSOT23-8

WSL1206R0500FEA

WSL1206R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1/4W 1206

LT1884IS8

LT1884IS8

Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

EPM1270F256I5N

EPM1270F256I5N

Intel

IC CPLD 980MC 6.2NS 256FBGA

EPM3256ATI144-10

EPM3256ATI144-10

Intel

IC CPLD 256MC 10NS 144TQFP

FN2070-36-08

FN2070-36-08

Schaffner EMC

LINE FILTER 110/250VAC 36A CHASS

ADF4360-7BCPZRL7

ADF4360-7BCPZRL7

Analog Devices

IC SYNTHESIZER VCO 24LFCSP

AZ1117EH-3.3TRG1

AZ1117EH-3.3TRG1

Diodes Incorporated

IC REG LINEAR 3.3V 1A SOT223