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AS4C2M32D1-5TIN

AS4C2M32D1-5TIN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C2M32D1-5TIN
PNEDA Teilenummer AS4C2M32D1-5TIN
Beschreibung IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C2M32D1-5TIN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C2M32D1-5TIN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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AS4C2M32D1-5TIN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR
Speichergröße64Mb (2M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit700ps
Spannung - Versorgung2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket66-TSOP II

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

1Gb (32M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

S29PL127J65BFW000

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

PL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

65ns

Zugriffszeit

65ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

80-VFBGA

Lieferantengerätepaket

80-FBGA (8x11)

SM661PE8-ACS

Silicon Motion, Inc.

Hersteller

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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