AS4C2M32D1-5BCN
Nur als Referenz
| Teilenummer | AS4C2M32D1-5BCN |
| PNEDA Teilenummer | AS4C2M32D1-5BCN |
| Beschreibung | IC DRAM 64M PARALLEL 144BGA |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.068 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
AS4C2M32D1-5BCN Ressourcen
| Marke | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | AS4C2M32D1-5BCN |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- AS4C2M32D1-5BCN Datasheet
- where to find AS4C2M32D1-5BCN
- Alliance Memory, Inc.
- Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1-5BCN
- AS4C2M32D1-5BCN PDF Datasheet
- AS4C2M32D1-5BCN Stock
- AS4C2M32D1-5BCN Pinout
- Datasheet AS4C2M32D1-5BCN
- AS4C2M32D1-5BCN Supplier
- Alliance Memory, Inc. Distributor
- AS4C2M32D1-5BCN Price
- AS4C2M32D1-5BCN Distributor
AS4C2M32D1-5BCN Technische Daten
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Speichergröße | 64Mb (2M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 700ps |
| Spannung - Versorgung | 2.3V ~ 2.7V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | 144-BGA |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 900ns Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie e•MMC™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 128Gb (16G x 8) Speicherschnittstelle MMC Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LBGA Lieferantengerätepaket 100-LBGA (14x18) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.3V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 134-VFBGA Lieferantengerätepaket 134-FBGA (11x11.5) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.2V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 7.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 119-BGA Lieferantengerätepaket 119-PBGA (14x22) |
