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AS4C256M8D3LA-12BAN

AS4C256M8D3LA-12BAN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C256M8D3LA-12BAN
PNEDA Teilenummer AS4C256M8D3LA-12BAN
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M8D3LA-12BAN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C256M8D3LA-12BAN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C256M8D3LA-12BAN, AS4C256M8D3LA-12BAN Datenblatt (Total Pages: 83, Größe: 2.574,78 KB)
PDFAS4C256M8D3LA-12BAN Datenblatt Cover
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AS4C256M8D3LA-12BAN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3L
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall78-VFBGA
Lieferantengerätepaket78-FBGA (8x10.5)

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

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15ns

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Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Toshiba Memory America, Inc.

Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße

32Gb (4G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

256Mb (8M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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