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AS4C16M16SA-6BAN

AS4C16M16SA-6BAN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C16M16SA-6BAN
PNEDA Teilenummer AS4C16M16SA-6BAN
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16SA-6BAN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C16M16SA-6BAN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C16M16SA-6BAN, AS4C16M16SA-6BAN Datenblatt (Total Pages: 55, Größe: 1.691,53 KB)
PDFAS4C16M16SA-6BANTR Datenblatt Cover
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AS4C16M16SA-6BAN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße256Mb (16M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TFBGA
Lieferantengerätepaket54-TFBGA (8x8)

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

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Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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