AS4C128M16D3LB-12BCNTR
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| Teilenummer | AS4C128M16D3LB-12BCNTR |
| PNEDA Teilenummer | AS4C128M16D3LB-12BCNTR |
| Beschreibung | IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.196 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 27 - Jan 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AS4C128M16D3LB-12BCNTR Ressourcen
| Marke | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AS4C128M16D3LB-12BCNTR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
AS4C128M16D3LB-12BCNTR, AS4C128M16D3LB-12BCNTR Datenblatt
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AS4C128M16D3LB-12BCNTR Technische Daten
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 2Gb (128M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 800MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 20ns |
| Spannung - Versorgung | 1.283V ~ 1.45V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 96-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 96-FBGA (8x13) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - EDO Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 85ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads Lieferantengerätepaket 50/44-TSOP II |
