APTML20UM18R010T1AG
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| Teilenummer | APTML20UM18R010T1AG |
| PNEDA Teilenummer | APTML20UM18R010T1AG |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 109A SP1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.950 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTML20UM18R010T1AG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTML20UM18R010T1AG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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APTML20UM18R010T1AG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 109A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9880pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 480W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
| Paket / Fall | SP1 |
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