APTML20UM18R010T1AG
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Teilenummer | APTML20UM18R010T1AG |
PNEDA Teilenummer | APTML20UM18R010T1AG |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 109A SP1 |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.950 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTML20UM18R010T1AG Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APTML20UM18R010T1AG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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APTML20UM18R010T1AG Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 109A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9880pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 480W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Lieferantengerätepaket | SP1 |
Paket / Fall | SP1 |
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