APTM120DA30T1G
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Teilenummer | APTM120DA30T1G |
PNEDA Teilenummer | APTM120DA30T1G |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
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APTM120DA30T1G Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APTM120DA30T1G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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APTM120DA30T1G Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 31A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 560nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14560pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 657W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Lieferantengerätepaket | SP1 |
Paket / Fall | SP1 |
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