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APTGT600U170D4G

APTGT600U170D4G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGT600U170D4G
PNEDA Teilenummer APTGT600U170D4G
Beschreibung IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.504
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APTGT600U170D4G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGT600U170D4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APTGT600U170D4G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1100A
Leistung - max2900W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 600A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce51nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallD4
LieferantengerätepaketD4

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

112A

Leistung - max

543W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 70A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.26nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4

Lieferantengerätepaket

SOT-227

IFF450B12ME4S8PB11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™ 3

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

450A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-ECONOD-6

APTGTQ200DA65T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Boost Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

483W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP3F

FF1200R17KE3NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

595000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FPF2G120BF07ASP

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Konfiguration

3 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

156W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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