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APTGT600U120D4G

APTGT600U120D4G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGT600U120D4G
PNEDA Teilenummer APTGT600U120D4G
Beschreibung IGBT 1200V 900A 2500W D4
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.660
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APTGT600U120D4G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGT600U120D4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APTGT600U120D4G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)900A
Leistung - max2500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 600A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce40nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallD4
LieferantengerätepaketD4

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APTGT600DA60G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

700A

Leistung - max

2300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

49nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

APTGT75DA170D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Leistung - max

520W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

GSID600A120S4B1

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1130A

Leistung - max

3060W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

51nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS100R06KE3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

335W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF660U60D4G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

860A

Leistung - max

2800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

36nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D4

Lieferantengerätepaket

D4

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