APTGT50DDA120T3G
Nur als Referenz
Teilenummer | APTGT50DDA120T3G | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | APTGT50DDA120T3G | ||||||||||||||||||
Beschreibung | POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3 | ||||||||||||||||||
Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 1.696 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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APTGT50DDA120T3G Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APTGT50DDA120T3G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT50DDA120T3G Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Konfiguration | Dual Boost Chopper |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
Leistung - max | 270W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 250µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.6nF @ 25V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | SP3 |
Lieferantengerätepaket | SP3 |
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