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APTGT200SK60TG

APTGT200SK60TG

Nur als Referenz

Teilenummer APTGT200SK60TG
PNEDA Teilenummer APTGT200SK60TG
Beschreibung IGBT 600V 290A 625W SP4
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.420
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 1 - Dez 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APTGT200SK60TG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGT200SK60TG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APTGT200SK60TG, APTGT200SK60TG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 258,9 KB)
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APTGT200SK60TG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)290A
Leistung - max625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce12.3nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP4
LieferantengerätepaketSP4

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

PT, Trench

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

758A

Leistung - max

1563W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.52V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Dual INT-A-PAK (3 + 8)

Lieferantengerätepaket

Dual INT-A-PAK

APTGF30TL601G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Level Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Leistung - max

140W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.35nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

FF300R12ME3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500A

Leistung - max

1450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

BSM100GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

145A

Leistung - max

1000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

16nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM400HX-24A

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

2450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

66nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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