APTGT200SK120G
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Teilenummer | APTGT200SK120G |
PNEDA Teilenummer | APTGT200SK120G |
Beschreibung | IGBT 1200V 280A 890W SP6 |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.910 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTGT200SK120G Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APTGT200SK120G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT200SK120G Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Konfiguration | Single |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 280A |
Leistung - max | 890W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 350µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | SP6 |
Lieferantengerätepaket | SP6 |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Leistung - max 95W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.9nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket - |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 515W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie EconoPIM™3 IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.35nF @ 25V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Leistung - max 125W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket SP3F |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |