APTGT200A120D3G
Nur als Referenz
Teilenummer | APTGT200A120D3G | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | APTGT200A120D3G | ||||||||||||||||||
Beschreibung | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 | ||||||||||||||||||
Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 531 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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APTGT200A120D3G Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APTGT200A120D3G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT200A120D3G Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Konfiguration | Half Bridge |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 300A |
Leistung - max | 1040W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 6mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | D-3 Module |
Lieferantengerätepaket | D3 |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 420A Leistung - max 1500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18.6nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-3 Module Lieferantengerätepaket D3 |
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