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APTGF75DSK120TG

APTGF75DSK120TG

Nur als Referenz

Teilenummer APTGF75DSK120TG
PNEDA Teilenummer APTGF75DSK120TG
Beschreibung IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP4
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.794
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGF75DSK120TG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGF75DSK120TG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APTGF75DSK120TG, APTGF75DSK120TG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 520,19 KB)
PDFAPTGF75DSK120TG Datenblatt Cover
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APTGF75DSK120TG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationDual, Common Source
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Leistung - max500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce5.1nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP4
LieferantengerätepaketSP4

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Leistung - max

130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 20A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.18nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E1

Lieferantengerätepaket

E1

2ED300C17SROHSBPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FMG2G300US60E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

892W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

7PM-HA

Lieferantengerätepaket

7PM-HA

FF300R12KT4HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

C

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

450A

Leistung - max

1600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS15R06XE3BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Leistung - max

71.5W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

830pF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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