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APTGF50VDA120T3G

APTGF50VDA120T3G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGF50VDA120T3G
PNEDA Teilenummer APTGF50VDA120T3G
Beschreibung POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.204
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APTGF50VDA120T3G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGF50VDA120T3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APTGF50VDA120T3G, APTGF50VDA120T3G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 541,6 KB)
PDFAPTGF50VDA120T3G Datenblatt Cover
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APTGF50VDA120T3G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationDual Boost Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Leistung - max312W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.45nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP3
LieferantengerätepaketSP3

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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IGBT-Typ

Trench

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600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Leistung - max

417W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.71nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

CPV364M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

27A

Leistung - max

63W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 27A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.2nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

19-SIP (13 Leads), IMS-2

Lieferantengerätepaket

IMS-2

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

107A

Leistung - max

403W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.49V @ 15V, 60A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.5nF @ 30V

Eingabe

Single Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

12-MTP Module

Lieferantengerätepaket

MTP

APTGF50VDA60T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Dual Boost Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

PT, Trench

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

380A

Leistung - max

893W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.3V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

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