APTCV60TLM99T3G
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| Teilenummer | APTCV60TLM99T3G |
| PNEDA Teilenummer | APTCV60TLM99T3G |
| Beschreibung | POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.516 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTCV60TLM99T3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTCV60TLM99T3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTCV60TLM99T3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Three Level Inverter - IGBT, FET |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Leistung - max | 90W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 250µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 1.6nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400A Leistung - max 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 26nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall POWIR® 62 Module Lieferantengerätepaket POWIR® 62 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 270A Leistung - max 1130W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 11nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Y3-DCB Lieferantengerätepaket Y3-DCB |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.45nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 560W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
